锂化与钠化硅纳米线的量子力学比较
介观与纳米尺度物理
2024-03-12 v4
摘要
本计算研究将比较插入结晶硅（c-Si）纳米线中的锂离子与插入非晶硅（a-Si）纳米线中的钠离子之间的比电荷容量（SCC）。将证明锂-硅纳米线内的势能 V(r) 支持具有离散电子粒子的相干能态模型，而钠-硅纳米线势能将被发现基本为零，因此穿过钠化硅纳米线的电子电流将被建模为具有波动特性的自由电子。这是由于锂化和钠化硅纳米线电场间的巨大差异，其电场分别约为 10^(+10) V/m 和 10^(-15) V/m。电场巨大差异的主要原因在于锂离子内存在光放大而钠离子内不存在该过程。将表明光放大产生相干光学相互作用，这是锂化硅纳米线中比电荷容量激增的主要原因。相反，缺乏光放大是钠离子内非相干光学相互作用的原因，也是钠化硅纳米线中 SCC 低存在的原因。
引用
@article{arxiv.2209.07462,
title = {Quantum Mechanical Comparison between Lithiated and Sodiated Silicon Nanowires},
author = {Donald C. Boone},
journal= {arXiv preprint arXiv:2209.07462},
year = {2024}
}