用于单光子计数应用、远紫外绝对量子效率超过50%的硅探测器阵列
天体物理仪器与方法
2015-05-27 v1 仪器与探测器
摘要
我们利用基于分子束外延(MBE)的δ掺杂技术，在用于单光子计数探测应用的硅电子倍增电荷耦合器件(EMCCD)上实现了接近100%的内部量子效率(QE)。此外，我们采用原子层沉积(ALD)的精密技术沉积抗反射(AR)涂层，并在百万像素阵列的远紫外和近紫外波段展示了超过50%的外部QE。我们证明了其他器件参数（如暗电流）在这些工艺后保持不变。在本文中，我们报告了这些结果，并简要讨论了所采用的技术和工艺。
引用
@article{arxiv.1102.2244,
title = {Silicon Detector Arrays with Absolute Quantum Efficiency over 50% in the Far Ultraviolet for Single Photon Counting Applications},
author = {Shouleh Nikzad and Michael E. Hoenk and Frank Greer and Todd Jones and Blake Jacquot and Steve Monacos and J. Blacksberg and Erika Hamden and David Schiminovich and Chris Martin and Patrick Morrissey},
journal= {arXiv preprint arXiv:1102.2244},
year = {2015}
}
备注
This article has been submitted to Applied Physics Letters (APL). After it is published, it will be found at (URL/link to the entry page of the journal http://www.apl.aip.org