具有集成电荷传感功能的 Si/SiGe 单电子量子点
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v3
摘要
单电子占据是量子点中自旋测量和操控的基本组成部分，这些能力对于量子信息处理至关重要。Si/SiGe 是半导体自旋量子比特的研究热点，但该系统尚未实现单电子量子点。我们报道了在 Si/SiGe 异质结构中制备并测量了一个由顶栅控制的、被单电子占据的量子点。通过量子点的输运与集成量子点接触产生的电荷传感直接相关，该电荷传感被用于确认量子点中的单电子占据。
引用
@article{arxiv.0710.3725,
title = {Single-electron quantum dot in Si/SiGe with integrated charge-sensing},
author = {C. B. Simmons and Madhu Thalakulam and Nakul Shaji and Levente J. Klein and Hua Qin and R. H. Blick and D. E. Savage and M. G. Lagally and S. N. Coppersmith and M. A. Eriksson},
journal= {arXiv preprint arXiv:0710.3725},
year = {2009}
}
评论
3 pages, 3 figures, accepted version, to appear in Applied Physics Letters