在 c 面蓝宝石上外延生长的六方 Co/BN/Co 结的分离磁化翻转
材料科学
2017-01-10 v1
摘要
利用分子束外延技术在 c 面 Al2O3 衬底上生长了磁性隧道结（MTJ）。该 MTJ 叠层由两个被薄绝缘 h-BN 势垒层隔开的铁磁 hcp-Co 层组成。样品在单次生长中完成，透射电子显微镜观察显示其具有单晶外延结构且界面清晰。面内磁化实验揭示了顶部薄 Co（软磁）层和底部厚 Co（硬磁）层的分离磁化翻转。在零磁场下，两个 Co 层处于反平行状态。
引用
@article{arxiv.1701.02027,
title = {Separate magnetization switching of hexagonal Co/BN/Co junctions grown epitaxially on c-sapphire},
author = {Alexander A. Tonkikh and Peter Werner},
journal= {arXiv preprint arXiv:1701.02027},
year = {2017}
}
备注
5 pages, 4 figures, 22 references