超越随机相位近似的自屏蔽修正：在半导体带隙中的应用
强关联电子
2023-03-15 v1
摘要
随机相位近似（RPA）和 近似（GWA）中的自屏蔽误差是一个众所周知的问题，近年来受到关注，并已提出若干修正方法。我们在此将其中两种——自屏蔽和所谓的“自极化”修正方案——应用于模型计算以检验其适用性。我们还将显式自屏蔽修正应用于真实材料的 \textit{ab-initio} 计算。我们发现迹象表明，对于局域态，自极化方案是更恰当的修正选择，此外我们观察到它在强关联 regime 中遭受因果性破坏。另一方面，本工作中使用的自屏蔽修正显著改善了更离域态中的描述。它在计算若干半导体的带隙时提供了 GWA 剩余误差的显著降低，表明了对单步 相比实验的剩余偏差中一部分的物理解释，同时使局域的半芯 态基本不受影响。
引用
@article{arxiv.2206.01169,
title = {Self-screening corrections beyond the random-phase approximation: Applications to band gaps of semiconductors},
author = {Viktor Christiansson and Ferdi Aryasetiawan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.01169},
year = {2023}
}