GW理论中的近似 adequacy
材料科学
2013-05-29 v5
摘要
我们采用全电子实现的 GW 近似来分析该理论及其实现中的几类可能误差来源。其中包括极化函数和格林函数的收敛性、量子点能级对基集选择的依赖性，以及处理核心能级的不同近似。在此所呈现的所有 GW 计算中，G 与 W 均由局域密度近似 (LDA) 生成，我们称之为 \GLDA\WLDA 近似。为检验其有效范围，将 \GLDA\WLDA 近似应用于多种材料系统。我们表明，对简单 sp 半导体，\GLDA\WLDA 总是低估带隙；然而，当自能不再进行再规范化时，可获得与实验更好的一致性，我们对此提出了解释。将部分 Si 计算与赝分子基 \GLDA\WLDA 计算进行比较，并讨论了赝分子在 GW 计算中适用性的某些方面。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0508295,
title = {Adequacy of Approximations in GW Theory},
author = {M. van Schilfgaarde and T. Kotani and S. Faleev},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0508295},
year = {2013}
}
备注
38 pages,6 figures. Minor Revisions