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具有一维电子气的GaAs晶体管结构中声子散射率的自洽计算

介观与纳米尺度物理 2007-05-23 v1

作者: Andrei Borzdov , Dmitry Pozdnyakov , Vadim Galenchik , Vladimir Borzdov , Fadei Komarov

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摘要

在考虑碰撞展宽的情况下，对GaAs量子线晶体管结构中的声学和极性光学声子散射率进行了自洽计算。还研究了栅极偏压对散射率的影响。结果表明，为了严格处理散射率，重要的是通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程来寻找电子能级，并考虑碰撞展宽。

关键词

声子散射 GaAs量子线晶体管自洽计算碰撞展宽

引用

@article{arxiv.cond-mat/0604200,
  title  = {Self-consistent calculations of phonon scattering rates in GaAs transistor structure with one-dimensional electron gas},
  author = {Andrei Borzdov and Dmitry Pozdnyakov and Vadim Galenchik and Vladimir Borzdov and Fadei Komarov},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0604200},
  year   = {2007}
}

备注

3 pages, 2 figures