碳纳米管基准单电子存储器的自组装
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v3
摘要
我们演示了基于碳纳米管场效应晶体管(CNFETs)的单电子存储器实现了大面积集成，采用完全自组装工艺。首先，采用基于热 filaments 辅助化学气相沉积(CVD)技术的干法自组装，实现了碳纳米管的局部生长和原位电连接到预定义的催化电极上。半导体碳纳米管的集成产率可超过50%。其次，采用湿法自组装将单个30 nm直径的金珠子粒子附着到纳米管附近，通过化学功能化实现。该珠子充当存储节点，而在亚阴值区域工作的CNFET是具有指数增益的测量放大器。在50 K以下，一些功能化CNFET的转移特性显示出高度可重复的滞回性步骤，其高度可达一个数量级的电流。电容度评估确认，这些电流步骤来源于珠子与纳米管之间单电子转移，保持时间在1.5K时可超过550秒。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0503490,
title = {Self-assembly of carbon-nanotube-based single electron memories},
author = {L. Marty and A. -M. Bonnot and A. Iaia and C. Naud and A. Bonhomme and E. Andre and V. Bouchiat},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0503490},
year = {2007}
}