Ru$_{2-x}$Mn$_{1+x}$Al 薄膜
材料科学
2023-01-31 v2
摘要
立方 Heusler 合金 RuMnAl 以薄膜形式生长在 MgO 和 MgAlO 衬底上。它是一种高度自旋极化的亚铁磁金属，具有弱的磁晶各向异性。尽管在结构和化学上与 相似，它不表现出亚铁磁补偿，或大的磁致电流效应。这些差异归因于原子有序度以及与第13族元素 Al 或 Ga 杂化的共同影响。自旋极化约为 50% 至 60%。在完全有序化合物中，费米能级正上方存在态密度隙。
引用
@article{arxiv.2301.10148,
title = {Ru$_{2-x}$Mn$_{1+x}$Al thin films},
author = {K. E. Siewierska and H. Kurt and B. Shortall and A. Jha and N. Teichert and G. Atcheson and M. Venkatesan and J. M. D. Coey and Z. Gercsi and K. Rode},
journal= {arXiv preprint arXiv:2301.10148},
year = {2023}
}
备注
8 pages , 7 figures, 2 tables