半金属全 Heusler 合金的基础

K. Ozdogan; E. Sasioglu; I. Galanakis

半金属全 Heusler 合金的基础

材料科学 2008-01-16 v1

作者: K. Ozdogan , E. Sasioglu , I. Galanakis

摘要

金属间 Heusler 合金因其高居里温度和与二元半导体的结构相似性，是最具吸引力的半金属系统之一。在本综述中，我们概述了如 Co $_2$ MnGe 等半金属全 Heusler 合金的基本电子和磁性性质。第一性原理结果表明，这些化合物中的电子和磁性性质与少数自旋能隙的出现内在相关。单胞中的总自旋磁矩 $M_t$ 与价电子数 $Z_t$ 呈线性比例关系，对于全 Heusler 合金满足 $M_t=Z_t-24$ ，这为设计具有所需磁性质的新型半金属合金开辟了道路。此外，我们展示了关于 Co $_2$ Cr(Mn)Al(Si) 合金中无序的分析结果，这种无序容易破坏块体化合物的完美半金属性，从而降低器件性能。最后，我们讨论了这些化合物中因 Cr(Mn) 反位缺陷产生而出现的半金属亚铁磁性，以及 Mn $_2$ VAl(Si) 合金中 Co 掺杂导致的完全补偿半金属亚铁磁性。

关键词

Heusler 合金半金属性居里温度少数自旋能隙 Slater-Pauling 规则反位无序亚铁磁性

引用

@article{arxiv.0801.2252,
  title  = {Fundamentals of half-metallic Full-Heusler alloys},
  author = {K. Ozdogan and E. Sasioglu and I. Galanakis},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0801.2252},
  year   = {2008}
}

备注

Submitted for a book entitled "Spintronics: Materials, Applications and Devices" to be published by Nova Publishers

半金属全 Heusler 合金的基础

摘要

关键词

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