非化学计量比 Heusler 化合物 Co2Mn(alpha)Si 的表面自旋极化
材料科学
2015-05-30 v2
摘要
我们结合自旋分辨光电子能谱、能带结构和光电子发射计算，研究了具有体 L21 有序结构的 Co2Mn(alpha)Si 薄膜中体缺陷和表面态对自旋极化的影响。我们发现，对于贫 Mn 合金，由于 Co_Mn 反位缺陷和少数自旋表面态的贡献，费米能级 EF 处的自旋极化为负。在富 Mn 合金中，Co(Mn) 反位缺陷的抑制导致费米能级处出现正的自旋极化，并且少数自旋表面态对光电子自旋极化的影响减弱。
引用
@article{arxiv.1110.5451,
title = {Surface spin polarization of the non-stoichiometric Heusler compound Co2Mn(alpha)Si},
author = {Jan-Peter Wüstenberg and Mirko Cinchetti and Martin Aeschlimann and Jan Minár and Jürgen Braun and Hubert Ebert and Takayuki Ishikawa and Tetsuya Uemura and Masafumi Yamamoto},
journal= {arXiv preprint arXiv:1110.5451},
year = {2015}
}