缺陷诱导界面态在分子传感中的作用：分子相互作用的超高灵敏区
介观与纳米尺度物理
2021-02-03 v1 材料科学
摘要
在原子级薄二维二硫化钼沟道中，通过场效应晶体管下层的窄条石墨烯图案产生了缺陷诱导界面态。生成电荷态的非破坏性方法实现了高灵敏的分子相互作用，室温下灵敏度接近三个数量级。沟道中界面态的存在导致电导涨落，其幅度在亚阈值区由二氧化氮气体分子调制。该研究提供了建立调制电导涨落与低至十亿分之一浓度分子之间关联的系统方法。第一性原理密度泛函理论进一步解释了独特界面构型对电导涨落的作用。因此，我们的研究展示了一种诱导电荷态以调制载流子浓度的实验方法，并利用了原子级薄界面中缺陷诱导界面态在分子相互作用中的作用。
引用
@article{arxiv.2102.01596,
title = {Role of Defect Induced Interfacial States in Molecular Sensing: Ultrahigh- Sensitive Region for Molecular Interaction},
author = {Rahul Tripathi and Pritam Bhattacharyya and Alok Shukla and Abha Misra},
journal= {arXiv preprint arXiv:2102.01596},
year = {2021}
}
备注
27 pages, 4 figures