FeGe外延薄膜中稳健的零场斯格明子形成
材料科学
2017-01-18 v1
摘要
近年来，B20相磁性材料（如FeGe）引起了极大兴趣，因为它们能实现磁斯格明子，有望带来低能耗的自旋电子学应用。这一新兴领域的一项主要工作是稳定室温及零外磁场下的斯格明子。我们报道了通过超高真空离轴溅射在Si(111)衬底上生长出纯相FeGe外延薄膜。FeGe薄膜的高结晶质量通过X射线衍射和扫描透射电子显微镜得到确认。霍尔效应测量在扣除常规霍尔效应和异常霍尔效应后，显示出强烈的拓扑霍尔效应，表明在5至275 K的FeGe薄膜中形成了高密度斯格明子。特别地，在零磁场下观察到显著的拓扑霍尔效应，展示了无需外磁场的稳健斯格明子相。
引用
@article{arxiv.1604.06684,
title = {Robust Zero-Field Skyrmion Formation in FeGe Epitaxial Thin Films},
author = {J. C. Gallagher and K. Y. Meng and J. T. Brangham and H. L. Wang and B. D. Esser and D. W. McComb and F. Y. Yang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1604.06684},
year = {2017}
}