Fe 基薄膜堆叠中室温零磁场斯格明子
材料科学
2017-03-21 v2
摘要
需要一种新范式来满足未来对海量数据存储容量和更快数据处理的需求。诸如磁性斯格明子之类的纳米结构已被预测可解决这一问题,因为这些涡旋结构是最小的类粒子磁性特征,并且在拓扑上受到保护,免受晶体学缺陷或磁性无序的影响。我们在此报告了在电子束蒸发的 Ir Fe Ir MgO 薄膜堆叠中,室温且零外加场下稳定的斯格明子。微磁模拟表明,这些斯格明子是由铁磁层与重金属超薄层之间数值在 3.1 至 3.6 范围内的界面 Dzyaloshinskii Moriya 相互作用引起的。我们还展示了斯格明子宽度和密度对磁场的依赖关系。室温零场宽度为 110 nm,与 Fert 等人和 Boulle 等人针对多层堆叠薄膜展示的值大致相当。DFT 计算预测 DMI 值为 3.67,证实了我们的实验结果。
引用
@article{arxiv.1703.01172,
title = {Room temperature zero field skyrmions in Fe-based thin film stacks},
author = {Sarmita Majumder and Priyamvada Jadaun and Tanmay Pramanik and Sanjay K. Banerjee},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.01172},
year = {2017}
}
备注
Our DFT calculations need a revision. Also, we need to redo our MFM and VSM measurements. We need to redo our micromagnetic simulation too