Nb/GaAs/AlGaAs/GaAs微结构中的共振输运
高能物理 - 唯象学
2017-08-23 v1 超导电性
摘要
我们展示了在GaAs上通过MBE生长的混合半导体-超导体微结构中的共振输运。该结构在实验上实现了de Gennes和Saint-James于1963年在全金属结构中提出的原型系统。低温下单峰叠加在特征性的Andreev主导的亚隙电导上，代表了这种共振行为的标志。采用量子输运的随机矩阵理论来分析观测到的磁输运性质，并通过直接求解Bogoliubov-de Gennes方程来包含弹道效应。
引用
@article{arxiv.hep-ph/0207162,
title = {Resonant Transport in Nb/GaAs/AlGaAs/GaAs Microstructures},
author = {F. Giazotto and P. Pingue and F. Beltram and M. Lazzarino and D. Orani and S. Rubini and A. Franciosi},
journal= {arXiv preprint arXiv:hep-ph/0207162},
year = {2017}
}
备注
7 pages REVTeX, 4 figures, to be published by World Scientific in Proceedings of International Symposium on Mesoscopic Superconductivity and Spintronics (NTT R&D Center Atsugi, Japan, March 2002)