有机自旋阀中的共振磁电阻

我们从理论上研究了表面态对基于Ni的有机自旋阀磁电阻的影响。特别地，我们对化学吸附在Ni [001]表面上的苯硫酚分子进行了{\it 从头算}电子输运计算，该分子要么通过Te连接到另一个Ni [001]表面，要么以硫醇基团终止并由Ni STM尖端探测。在S-和Te-键合分子的情况下，我们发现自旋电流作为偏压的函数存在很大的不对称性，尽管$I$-$V$特性是相当对称的。这导致磁电阻随偏压平滑但非单调的变化。相比之下，在STM型几何结构中，我们证明了自旋电流和磁电阻可以随偏压急剧变化。这是衬底的自旋极化表面态与尖端的$d$-壳带边之间共振的结果。