通过自旋极化 p 态的磁阻
材料科学
2009-11-07 v2
摘要
我们对 Ni 接触器中的球形磁阻进行了第一性原理、原子尺度的电子结构计算。特别关注接触区域缺陷的作用，以解释近期观察到的惊人磁阻比值。我们的结果预测，接触区域可能存在自旋极化氧气，能够解释导电性变化可达一个数量级。电子传输本质上通过自旋极化的氧 p 态进行，而这种机制比仅假设干净的原子晶体界面所获得的磁阻要高得多。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0210551,
title = {Magnetoresistance through spin polarized p-states},
author = {Nikos Papanikolaou},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0210551},
year = {2009}
}
备注
Title changed, abstract changed, text revision, figures unchanged