用非阿贝尔DBI中的1/N修正解决膜坍缩问题
高能物理 - 理论
2009-11-10 v5
摘要
一个携带磁通量的坍缩球状D2-膜，在小半径区域可以用对偶的零膜图像来描述，该图像使用Tseytlin提出的N个D0-膜的非阿贝尔Dirac-Born-Infeld作用量。D0-膜作用量的标准大N近似，类似于膜介电效应中的情况，给出的时间演化与描述D2-膜坍缩到零大小的阿贝尔D2-膜Born-Infeld方程一致。来自零膜作用量中对称化迹规定的第一个1/N修正，导致了一类经典解，其中坍缩D2-膜的最小半径被提升到非零值。我们讨论了在最小半径区域中这种对零膜作用量近似的有效性，并探索了更高阶的1/N修正以及一个精确的有限N例子。1/N修正的拉格朗日量和有限N例子具有有效质量平方，在相空间的某些区域变为负值。我们讨论了这种快子行为的物理意义。
引用
@article{arxiv.hep-th/0405256,
title = {Resolving brane collapse with 1/N corrections in non-Abelian DBI},
author = {S. Ramgoolam and B. Spence and S. Thomas},
journal= {arXiv preprint arXiv:hep-th/0405256},
year = {2009}
}
备注
51 pages, 5 figures, LaTeX2e. Version 4: Formulae in Section 8 simplified