电子掺杂铜氧化物中的电阻率饱和
强关联电子
2021-01-13 v1
摘要
我们报道了在轻掺杂 () 的 as-grown 电子掺杂铜氧化物 LaCeCuO (LCCO) 样品中观测到的电阻率饱和现象。一旦将这些材料中低有效载流子密度纳入分析，该饱和出现在与唯象 Mott-Ioffe-Regel 判据大致相符的电阻率值处。这些结果表明，至少对于轻掺杂，这些材料的高温金属相未必是奇异的，而可理解为一种简单的低密度金属。
引用
@article{arxiv.2007.03685,
title = {Resistivity saturation in an electron-doped cuprate},
author = {Nicholas R. Poniatowski and Tarapada Sarkar and Sankar Das Sarma and Richard L. Greene},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.03685},
year = {2021}
}
备注
5 pages, 2 figures