可靠计数少层石墨烯 (n>4) 的原子层数
介观与纳米尺度物理
2011-02-01 v2
摘要
我们展示了一种通过拉曼光谱可靠计数 SiO2/Si 衬底上少层石墨烯 (FLG) 原子层数 (n) 的技术。我们的方法基于测量石墨烯 G 峰与硅光学声子峰的积分强度比 I(G)/I(Si)，并且特别适用于 n>4 的范围，因为该范围内现有方法很少。我们将我们的结果与原子力显微镜 (AFM) 测量和菲涅耳方程计算进行了比较。最后，我们将我们的方法应用于明确识别 FLG 器件的 n，并发现对于 n>4，迁移率 (~2000 cm2 V-1 s-1) 与层厚无关。
引用
@article{arxiv.1009.0362,
title = {Reliably Counting Atomic Planes of Few-Layer Graphene (n>4)},
author = {Yee Kan Koh and Myung-Ho Bae and David G. Cahill and Eric Pop},
journal= {arXiv preprint arXiv:1009.0362},
year = {2011}
}
备注
18 pages, 5 figures The manuscipt was withdrawn to avoid complications for publication elsewhere