Nd1+xBa2-xCu3O6+d中电子与晶体结构的关系
材料科学
2018-01-03 v2
摘要
根据先前在YBa2Cu3O6+d化合物中发现的晶格参数c与空穴浓度p之间的关系，我们以相同方式获得了在钡位用Nd3+取代Ba2+的固溶体Nd1.2Ba1.8Cu3O6+d的p参数。为此，研究了淬火后从退火温度存放特定时间t的Nd1.2Ba1.8Cu3O6+d样品的结构与超导性质。研究表明，存放较长时间的Nd1.2Ba1.8Cu3O6+d具有相当低的临界温度Tc，对于d = 0.953的最氧化样品仅达到Tconset = 55 K。我们发现晶格参数c的d依赖性随时间t显著变化。当使用c与p之间的关系时，可推断出Nd1.2Ba1.8Cu3O6+d中存在每个Cu 0.045的电子掺杂。该掺杂很好地解释了Nd1.2Ba1.8Cu3O6+d中降低的Tc。此外，我们观察到对于p ~ 0.095 (d ~ 0.8)的样品，Tc出现局部下降达20 K，类似于已知的称为“1/8反常”的Tc降低。
引用
@article{arxiv.1701.01397,
title = {Relationship between electronic and crystal structure in Nd1+xBa2-xCu3O6+d},
author = {A. V. Fetisov and S. Kh. Estemirova},
journal= {arXiv preprint arXiv:1701.01397},
year = {2018}
}
备注
14 pages, 7 figures