YBa2Cu3O6+d中的室温老化效应
材料科学
2017-10-09 v1
摘要
与其他类似研究考察高速淬火样品相反，我们在低速淬火样品上研究了YBa2Cu3O6+d中的老化效应。在研究的框架内，对淬火后存储指定时间t的样品进行了XPS分析，并获得了YBa2Cu3O6+d晶格参数a、b和c对d和t的详细实验依赖关系。低速淬火机制导致老化效应幅度增加三倍。c(d; t)依赖的特殊情况通过二阶多项式很好地描述，对不同的t应用不同系数。c的行为基于CuO2和CuOd结构平面之间库仑相互作用的简单模型得到解释，其中空穴电荷从CuOd转移到CuO2，提供了YBa2Cu3O6+d中Tc的标准水平（该水平以d = 0.9时最大Tc为93 K为特征）。已证明c(d; t)依赖是评估YBa2Cu3O6+d中空穴浓度的良好替代方法。通过分析c(d; t)实验依赖以及XPS获得的Cu-O对中空穴局域化数据，作者得出了关于观察到的老化效应本质的结论。后者可能与室温下YBa2Cu3O6+d基平面中铜的Cu 3d9L-1电子构型向Cu 3d8的转变有关。
引用
@article{arxiv.1710.02497,
title = {On the room-temperature aging effects in YBa2Cu3O6+d},
author = {A. V. Fetisov and G. A. Kozhina and S. Kh. Estemirova and V. Ya. Mitrofanov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.02497},
year = {2017}
}
备注
18 pages, 7 figures