YBa2Cu3O6+x 单晶中 CuO2 平面空穴掺杂的评估
超导电性
2009-11-11 v1 材料科学
摘要
使用 c 方向单元胞长度以及对链氧有序相空穴浓度 p 的简单估计，评估了 YBa2Cu3O6+x（YBCO）中 CuO2 平面的电子空穴浓度 p。获得的 p 与 c 之间的经验关系允许从 YBCO 整个掺杂范围的 c 轴晶格参数中计算 p。还建议，描述 La2-dSrdCuO4 中 Tc 与 p 关系的经验抛物线，对于 YBCO 也合理，除了 p ≈ 1/8 附近的区域，YBCO 的 Tc 被压制最多 17 K。提出了对 p = 1/8 效应的抛物线修正。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0510674,
title = {Evaluation of CuO2 plane hole doping in YBa2Cu3O6+x single crystals},
author = {Ruixing Liang and D. A. Bonn and W. N. Hardy},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0510674},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures