具有两个或三个连续临界点的双装饰平面晶格上耦合自旋-电子模型的重入相变

广义装饰-迭代变换被用于精确研究二维晶格上的耦合自旋-电子模型，其中局域 Ising 自旋位于节点晶格位点上，而流动电子在成对装饰位点上离域。该模型考虑了流动电子的跳跃项、流动电子与局域自旋之间的 Ising 耦合以及局域自旋之间的 Ising 耦合（$J'$）。针对局域自旋之间的铁磁（$J'>0$）和反铁磁（$J'<0$）相互作用，考察了基态、自发磁化和比热。发现了顺磁（$P$）、反铁磁（$AF$）和铁磁（$F$）相之间多种重入转变，这些转变具有单个临界点，或两个连续临界点（$P-AF$/$F-P$）以及三个连续临界点 $AF/F-P-F/AF-P$。自发磁化的显著热变呈现出由于退火无序与量子涨落之间相互作用以及上述重入而导致的强烈减弱。研究表明比热表现出多样的热依赖关系，包括在临界温度处的有限尖点。