通过 MOCVD 生长氮掺杂 (010) β-Ga2O3 实现绝缘缓冲层
材料科学
2025-12-25 v1 应用物理
摘要
我们展示了通过 MOCVD 生长的氮掺杂 β-Ga2O3 薄膜，作为 Fe 掺杂 (010) β-Ga2O3 衬底上的绝缘缓冲层，以替代 49% HF 处理来去除衬底-外延层生长界面处的非故意硅。系统性地改变 N 掺杂层厚度和 NH3 流量，以实验确定完全补偿界面硅峰所需的最低氮浓度和缓冲层厚度。NH3 摩尔流量从 200 sccm 变化到 1800 sccm。结果表明，对于 NH3 流量大于或等于 1200 sccm 且厚度为 50 nm 的样品，N 掺杂层完全绝缘。本研究证明了原位、可控掺杂的氮缓冲层作为缓解衬底-外延层生长界面处非故意界面硅的方法的有效性。
引用
@article{arxiv.2512.20989,
title = {Realization of Insulating Buffer Layers via MOCVD-Grown Nitrogen-Doped (010) \b{eta}-Ga2O3},
author = {Rachel Kahler and Carl Peterson and Sriram Krishnamoorthy},
journal= {arXiv preprint arXiv:2512.20989},
year = {2025}
}