随机贝里相磁阻作为硅 MOSFET 界面粗糙度探针
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1
摘要
研究了硅-氧化物界面粗糙度对硅 MOSFET 在磁场（相对于界面倾斜）下的弱局域化磁导的影响。证明了当电子穿过闭合轨道时，会获得随机贝里相。实际上，由于粗糙度，电子将沿着界面平行的均匀场视为随机垂直场。在平行场为零时，电导随垂直场的依赖已知为弱局域化线型状。本文分析了施加固定平行场对线型状的影响。发现了各种行为，包括均匀展宽、非均匀展宽以及一种令人惊讶的 regime，即线型状的变化仅取决于磁场、两个描述界面粗糙度的尺度以及基本常数。与处于均匀展宽极限的实验结果获得良好一致。讨论了将弱局域化磁导作为界面粗糙度探针的意义，这是由 Wheeler 等人提出的。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0008375,
title = {Random Berry Phase Magnetoresistance as a Probe of Interface Roughness in Si MOSFETs},
author = {H. Mathur and Harold U. Baranger},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0008375},
year = {2009}
}
备注
20 pages, 6 figures, Revtex