磁场中强局域电子：量子干涉与磁电导的精确结果
强关联电子
2016-08-31 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们研究了在磁场B中，强局域电子在二维正方形和三维立方晶格上跳跃时对跃迁强度的量子干涉效应。在二维情况下，我们通过精确求和连接任意两个位点的所有有向路径的相应相位因子，得到了隧穿概率的闭式表达式。推导出了磁电导作为磁通量显式函数的解析表达式。在实验上重要的三维情形中，我们展示了干涉图样和磁电导的小B行为如何随B的方向变化。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9611198,
title = {Strongly Localized Electrons in a Magnetic Field: Exact Results on Quantum Interference and Magnetoconductance},
author = {Yeong-Lieh Lin and Franco Nori},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9611198},
year = {2016}
}
备注
4 pages, RevTeX