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Chern 绝缘体相变处的准对称性丰富的无能隙临界性

材料科学 2026-01-22 v1

摘要

在连续拓扑相变(CTPT)中,低能物理由闭合子空间支配,其中可能出现准“更高”对称性,称为准对称性。我们提出准对称性丰富化这些相变的概念。聚焦于典型的 normal 到-Chern 绝缘体相变,我们在无能隙子空间中识别准对称性,通过准对称性电荷将 CTPT 同一普适类划分为更细的子类。具有非平凡电荷的无能隙临界性表现出受调节的现象,包括电荷与准自旋电流之间的内在关联,以及由普适 St\v{r}eda 公式支配的连续广义霍尔电导率,这些现象在传统上仅存在于有能隙相中。这些特征源于准对称性禁止了某些矩阵元,从而使广义 Berry 曲率可积。通过将准对称性确立为基本分类要素,我们的工作为理解量子相变丰富的景观添加了新的维度。

关键词

引用

@article{arxiv.2601.15011,
  title  = {Quasisymmetry Enriched Gapless Criticality at Chern Insulator Transitions},
  author = {Jiayu Li and Feng-Ren Fan and Wang Yao},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2601.15011},
  year   = {2026}
}

备注

8 pages, 4 figures