强关联电子金属-绝缘体转变附近的量子临界性
强关联电子
2010-10-20 v1
摘要
关联电子系统中金属-绝缘体转变的量子临界性被证明属于一种非常规的普适类，它违反了为对称性破缺转变制定的金兹堡-朗道-威尔逊(GLW)方案。这种非常规性源于量子临界点的新兴特征，该临界点出现在非零温度下的伊辛型对称性破缺与零温度下费米面的拓扑转变之间的边缘点。我们表明，在预先存在的对称性破缺下，方格上扩展哈伯德模型的哈特里-福克近似能够描述具有这种不寻常临界性的金属-绝缘体转变。所获得的普适性与为莫特转变制定的标度理论以及许多超越平均场水平的数值结果一致，这意味着预先存在的对称性破缺并非这种非常规普适性出现的必要条件。对涨落效应的检验表明，所获得的临界指数在超越平均场水平上基本保持精确。通过微观计算，对临界性（包括边缘量子临界点周围发散的载流子密度涨落）进行了详细分析，揭示了其作为量子临界“乳光”的本质。对非零温度下GLW型与零温度下拓扑型之间交叉行为的分析表明，在(V,Cr)2O3和κ-ET型有机导体中观察到的临界指数为我们提供了当前边缘量子临界性存在的证据。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0612632,
title = {Quantum criticality around metal-insulator transitions of strongly correlated electrons},
author = {Takahiro Misawa and Masatoshi Imada},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0612632},
year = {2010}
}
备注
24 pages, 19 figures