蜂窝晶格上半金属-绝缘体相变处的量子临界输运
强关联电子
2015-05-20 v2
摘要
本文研究了二维蜂窝晶格上电子的输运性质。我们考虑一个半满系统，处于从半金属相到具有电荷密度波或自旋密度波序的绝缘相之间的对称性破缺相变附近。这两种序的作用都是打破子格反演对称性，从而为电子单粒子激发引入有限能隙。从现象学上讲，这种情景在Gross-Neveu理论的框架内进行描述。我们通过(i)可控的重整化群计算和(ii)大N方法，并结合玻尔兹曼输运方程，分析了该模型的两种相关表述。我们确定了量子临界电导率，并讨论了从量子临界行为到绝缘相和/或半金属相的交叉行为。我们发现，在渐近低温下，量子临界电导率由与温度无关的普适数给出。在一个大的温度窗口内，与温度无关的量子临界电导率被由于边缘无关的长程库仑相互作用引起的对数温度依赖贡献所掩盖。我们讨论了在模型的两种互补表述中这种特异性的可能起源。此外，我们考虑了我们的发现与近期实验的可能关系，特别强调了量子临界到绝缘体的交叉。我们发现，我们的结果与最近在单粒子谱中存在能隙的假设下对数据集进行的分析在定性和定量上均具有显著的一致性。
引用
@article{arxiv.1012.0263,
title = {Quantum-Critical transport at a semimetal-to-insulator transition on the honeycomb lattice},
author = {Lars Fritz},
journal= {arXiv preprint arXiv:1012.0263},
year = {2015}
}
备注
16 pages, 5 figures; as published