具有任意载流子退化性的准二维稀释磁性半导体
材料科学
2009-11-11 v2
摘要
在广义均场理论框架下，定义了二维稀释磁性半导体产生铁磁态的条件及该态的特征。假设存在 RKKY 相互作用。考虑了其空间排列的离散性以及载流子退化性的温度变化。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0602416,
title = {Quasi-Two Dimensional Diluted Magnetic Semiconductors with Arbitrary Carrier Degeneracy},
author = {E. Z Meilikhov and R. M. Farzetdinova},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0602416},
year = {2009}
}