反 Pfaffian 量子霍尔态中的准粒子隧穿
介观与纳米尺度物理
2015-06-05 v1 强关联电子
摘要
我们研究了填充因子 处反 Pfaffian 量子霍尔态边缘的隧穿现象。考虑了单点接触中的边缘电流。我们关注双端电导随负分裂栅极电压增加而表现出的非线性行为。预期会出现中间电导平台，我们利用重正化群 (RG) 分析计算了其电导值。此外，我们表明非微扰准粒子隧穿可以通过瞬子方法有效地描述为微扰电子隧穿。双端电导被写为栅极电压的函数。所得结果使我们能够在实验上区分反 Pfaffian 态与 Pfaffian 态。
引用
@article{arxiv.1206.2753,
title = {Quasi-Particle Tunneling in Anti-Pfaffian Quantum Hall State},
author = {Toru Ito and Kentaro Nomura and Naokazu Shibata},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.2753},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 4 figures