低维半导体热电功率因子中的量子效应

我们从理论上研究禁闭长度 $L$ 与热德布罗意波长 $\Lambda$ 之间的相互作用，以优化半导体材料的热电功率因子。基于单带模型推导了功率因子的解析公式，假设非简并半导体以描述低维半导体功率因子上的量子效应。当 $L$ 小于半导体的 $\Lambda$ 时，一维和二维半导体的功率因子增强。在这种情况下，具有 $L$ 小于其 $\Lambda$ 的低维半导体将比块体对应物提供更好的热电性能。另一方面，当 $L$ 大于 $\Lambda$ 时，块体半导体可能给出比低维半导体更高的功率因子。