与不同取向沟道相比，P 型 Si (110)/[110] 超薄层具有更大的热电功率因子
材料科学
2012-07-31 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
利用原子级电子结构计算和玻尔兹曼半经典输运理论，我们计算了厚度从 W=3nm 到 10nm 的超薄体 P 型 Si 层的热电功率因子。结果表明，具有 [110] 输运取向和强 (110) 表面限制效应的沟道，其功率因子比其他所有不同取向的沟道高出 2 倍以上。此外，随着层厚减小，该沟道的功率因子增加了约 40%。这种增加，连同 (110) 表面较大的限制有效质量，使得该特定沟道受纳米尺度下增强的表面粗糙度散射和畸变等不利影响较小。因此，我们的结果指出了闪锌矿结构半导体二维薄层中关于取向和长度尺度以改善功率因子的最佳几何特征。
引用
@article{arxiv.1207.6801,
title = {Large Thermoelectric Power Factor in P-type Si (110)/[110] Ultra-Thin-Layers Compared to Differently Oriented Channels},
author = {Neophytos Neophytou and Hans Kosina},
journal= {arXiv preprint arXiv:1207.6801},
year = {2012}
}
备注
20 pages, 5 figures