畸变铋 (110) 层的高热电性能
介观与纳米尺度物理
2016-06-07 v2 材料科学
摘要
本文结合电子和声子的 Boltzmann 输运方程，利用第一性原理计算研究了畸变铋 (110) 层的热电性质。为了准确预测电子和输运性质，明确包含了多体效应的 GW 近似下的准粒子修正。研究发现，n 型系统可实现 6.4 的最大 ZT 值，这本质上源于电子的弱散射。此外，我们证明畸变 Bi 层在较宽的温度和载流子浓度范围内均保持较高的 ZT 值。我们的理论工作强调，表征电声子散射强度的形变势常数是寻找高热电性能材料的重要范式。
关键词
引用
@article{arxiv.1509.08002,
title = {High thermoelectric performance of distorted Bismuth (110) layer},
author = {L. Cheng and H. J. Liu and J. Zhang and J. Wei and J. H. Liang and P. H. Jiang and D. D. Fan and L. Sun and J. Shi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1509.08002},
year = {2016}
}
备注
Physical Chemistry Chemical Physics, 2016