半导体宿主中磁性杂质的量子临界动力学
强关联电子
2015-12-03 v4
摘要
我们利用杂化展开连续时间量子蒙特卡洛方法，研究了有能隙Anderson杂质模型中单态到双重态连续量子相变的有限温度动力学。利用自能和纵向静态磁化率，我们得到了温度-能隙平面上的相图。该相图中低温局域磁矩相与高温广义费米液体相之间的分界线，被证明是相互作用型零能隙量子临界点的临界标度区的下界。我们计算了核磁自旋-晶格弛豫率、Knight位移和Korringa比，它们对于任何非零能隙均表现出与无隙Kondo屏蔽杂质情形中相应量的强烈偏离。
引用
@article{arxiv.1509.09163,
title = {Quantum critical dynamics of a magnetic impurity in a semiconducting host},
author = {Nagamalleswararao Dasari and Swagata Acharya and A. Taraphder and Juana Moreno and Mark Jarrell and N. S. Vidhyadhiraja},
journal= {arXiv preprint arXiv:1509.09163},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 5 figures