磁场背景下的激子量子化

在磁场背景下，半导体中边缘峰的理论吸收与实验吸收之间可能存在的失配，源于用于解析计算吸收系数的近似方案。作为可能的补救措施，我们建议通过在背景磁场中对激子进行不等价量子化，从而在 x-y 平面上考虑非平凡边界条件。这种不等价量子化基于 von Neumann 的自伴延拓方法，其特征为一个参数 \Sigma。我们获得了束缚态解和散射态解，它们通常依赖于自伴延拓参数 \Sigma。参数 \Sigma 可用于微调光学吸收系数 K(\Sigma) 以与实验相符。