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无序GaN:O薄膜中捕获的分子N₂的定量研究

材料科学 2009-11-10 v1 无序系统与神经网络

作者: B. J. Ruck , A. Koo , U. D. Lanke , F. Budde , S. Granville , H. J. Trodahl , A. Bittar , J. B. Metson , V. J. Kennedy , A. Markwitz

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摘要

利用X射线吸收近边光谱和拉曼光谱研究了离子辅助沉积生长的无序GaN:O薄膜的结构。发现薄膜中4%至21%的氮以分子N₂的形式存在，且与周围基质的相互作用很弱。GaN:O基质中的阴离子与阳离子之比保持接近1，并且N₂分数、氧杂质水平以及GaN:O基质中短程有序的缺失之间存在密切关联。

关键词

分子N₂ GaN:O薄膜 X射线吸收近边光谱拉曼光谱无序结构离子辅助沉积

引用

@article{arxiv.cond-mat/0408174,
  title  = {Quantitative study of molecular N_2 trapped in disordered GaN:O films},
  author = {B. J. Ruck and A. Koo and U. D. Lanke and F. Budde and S. Granville and H. J. Trodahl and A. Bittar and J. B. Metson and V. J. Kennedy and A. Markwitz},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0408174},
  year   = {2009}
}

备注

5 pages, 3 figures