氮气流速依赖的直流磁控溅射富氮AlN薄膜原子配位、声子振动与表面分析
材料科学
2023-08-09 v1
摘要
本工作中,研究了氮气流速对直流磁控溅射AlN薄膜的晶粒取向、表面形貌、分形几何、结构配位及电子环境的影响。X射线衍射结果表明,当N2流速高于17%时,AlN薄膜的c轴取向随优选的纤锌矿六方结构增强。X射线反射数据证实AlN薄膜密度随N2流速增加而增大,在40% N2时达3.18g/cm3。由N K边的X射线吸收谱获得因 {\pi}* 共振导致的电子从N 1s向与Al 3p杂化的2p态的跃迁。通过对N K边去卷积研究了氮原子的半经验配位几何。40% N2下AlN薄膜的表面组成为32.08、51.94和15.97at.%的Al、N和O。拉曼谱中A1(LO)与E1(LO)模在声子能量分别为800和1051cm-1处的蓝移,很可能源于AlN薄膜中氧键的存在。
引用
@article{arxiv.2306.12694,
title = {Nitrogen flow rate dependent atomic coordination, phonon vibration and surface analysis of DC Magnetron sputtered Nitrogen rich-AlN thin films},
author = {Aishwarya Madhuri and Sanketa Jena and Mukul Gupta and Bibhu Prasad Swain},
journal= {arXiv preprint arXiv:2306.12694},
year = {2023}
}