深度依赖正电子湮灭技术检测Heusler单晶质量
材料科学
2015-05-20 v1 强关联电子
摘要
Heusler化合物展现出多种不同的电子基态，因此有望作为功能材料应用于新型电子和自旋电子器件。由于生长大尺寸、无缺陷的Heusler晶体仍具挑战性，我们采用光学浮区法生长了Fe2TiSn和Cu2MnAl单晶。应用两种正电子湮灭技术——湮灭辐射角关联（ACAR）和多普勒展宽谱（DBS）——来研究电子结构和晶格缺陷。最近，我们成功清晰地观测到Cu2MnAl费米面的各向异性，而Fe2TiSn的谱图则受到杂相的干扰。为估计不同Heusler化合物样品中的缺陷浓度，我们利用单能正电子束通过DBS测定了正电子扩散长度。
引用
@article{arxiv.1412.0435,
title = {Quality of Heusler Single Crystals Examined by Depth Dependent Positron Annihilation Techniques},
author = {C Hugenschmidt and A Bauer and P Böni and H Ceeh and S W H Eijt and T Gigl and C Pfleiderer and C Piochacz and A Neubauer and M Reiner and H Schut and J Weber},
journal= {arXiv preprint arXiv:1412.0435},
year = {2015}
}