基于离散电气参数的半参数寿命漂移质量控制模型
应用统计
2025-01-14 v1 概率论
统计方法学
摘要
半导体器件广泛应用于各种应用和关键基础设施。这些器件具有规定的寿命和质量目标，制造商必须实现。寿命估计通过加速应力测试进行。电气参数在应力测试程序的多个时间点进行测量。这些电气参数的变化称为寿命漂移。可以利用这些测试数据开发统计模型来预测电气参数在实际器件中的寿命行为。这些模型可为生产过程中的早期警报、识别关键参数漂移和检测异常值提供帮助。虽然存在用于连续电气参数的模型，但在估计离散参数的寿命时可能存在偏差。为此，我们提出了一种基于纵向应力测试数据的半参数退化轨迹模型。该模型优化了离散电气参数在生产测试中的警戒带，即质量保证更严格的限制。该模型具有可扩展性、数据驱动性和可解释性，相对于现有用于连续底层数据的方法提供了改进，如更快的计算、任意非参数条件分布建模以及使用马尔可夫转移矩阵将优化算法自然扩展到离散情况。
引用
@article{arxiv.2501.07115,
title = {Quality Control of Lifetime Drift in Discrete Electrical Parameters in Semiconductor Devices via Transition Modeling},
author = {Lukas Sommeregger and Jürgen Pilz},
journal= {arXiv preprint arXiv:2501.07115},
year = {2025}
}