利用原位椭偏光谱将薄膜铁氧体中点缺陷研究拓展至低温
材料科学
2021-05-28 v1
摘要
揭示过渡金属氧化物薄膜中的点缺陷浓度，对于理解并最终控制其在日益增长的应用与器件中的功能性质至关重要。尽管兴趣毋庸置疑，目前仍缺乏能够在中低温下估算此类氧化物缺陷化学与平衡常数的可用实验技术。本研究采用一种应用于薄膜的新型原位光谱椭偏方法，获得了重要材料 La1-xSrxFeO3-d（LSF，其中 x = 0.2、0.4 和 0.5，分别对应 LSF20、LSF40 和 LSF50）的缺陷化学。通过该技朮，LSF 中空穴浓度与测得光学性质相关联，并确定了其随温度与氧分压的演化。由此，首次获得了 350°C 至 500°C 温度范围内 LSF 薄膜缺陷化学的系统性描述，这标志着在向新兴低温应用理解 LSF20、LSF40 和 LSF50 方面向前迈进了一步。
引用
@article{arxiv.2105.13039,
title = {Pushing the Study of Point Defects in Thin Film Ferrites to Low Temperatures Using In Situ Ellipsometry},
author = {Yunqing Tang and Francesco Chiabrera and Alex Morata and Inigo Garbayo and Nerea Alayo and Albert Tarancon},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.13039},
year = {2021}
}
备注
Front cover of the journal