ZnFe2O4 薄膜中缺陷诱导铁磁性的证据
材料科学
2015-05-28 v1
摘要
采用 X 射线吸收近边结构和掠入射 X 射线荧光光谱研究了 ZnFe2O4 薄膜的电子结构。利用这些光谱技术确定了非平衡阳离子占位随深度和沉积过程中氧压的变化及其对磁性的影响。研究发现，低于 10^-3 mbar 的低沉积气压会导致铁离子在四面体位点的超占位，而 Zn^2+ 不发生反位，从而形成具有高室温磁矩的有序磁性相。
引用
@article{arxiv.1106.3128,
title = {Evidence of defect-induced ferromagnetism in ZnFe$_{2}$O$_{4}$ thin films},
author = {C. E. Rodríguez Torres and F. Golmar and M. Ziese and P. Esquinazi and S. P. Heluani},
journal= {arXiv preprint arXiv:1106.3128},
year = {2015}
}
备注
Accepted for publication in Phys. Rev. B