纯化石墨表面和空位态：欠配位诱导的量子阱凹陷和孤对π电子极化
介观与纳米尺度物理
2010-04-05 v1
摘要
我们提出了一种使用角分辨X射线光电子残余光谱（XPS）纯化石墨表面和空位态的简单方法。作为对Ugeda等人[Phys Rev Lett 104, 096804 (2010)]发现的补充，结果证实了BOLS理论[Sun, Prog Solid State Chem 35, 1-159 (2007)]的预期以及最近的发现：欠配位原子之间更短更强的键会诱导局部应变和量子势阱凹陷，并伴随着能量和核心电子的局部致密化。更短的原子距离以及致密且深陷的成键和核心电荷反过来极化空位附近未配对的π电子，从而产生观察到的高突起和狄拉克费米能级（）态。量子阱凹陷和极化态的屏蔽效应分裂了晶体势，从而产生了额外的XPRS C 1s态。
引用
@article{arxiv.1004.0349,
title = {Purified graphite surface and vacancy states: undercoordination-induced quantum trap depression and lone pi-electron polarization},
author = {Chang Q Sun and Yanguang Nie and Jisheng Pan and Weitao Zheng},
journal= {arXiv preprint arXiv:1004.0349},
year = {2010}
}
备注
13 draft pages, 3 figures