Ge(111)-(2x1) 表面磷杂质原子的隧穿谱：{Ab initio} 研究

S. V. Savinov; A. I. Oreshkin; S. I. Oreshkin

Ge(111)-(2x1) 表面磷杂质原子的隧穿谱：{Ab initio} 研究

介观与纳米尺度物理 2013-02-08 v3 材料科学

作者: S. V. Savinov , A. I. Oreshkin , S. I. Oreshkin

摘要

我们对位于表面附近的 P 施主杂质原子周围 Ge(111)-(2x1) 表面的电子性质进行了数值模拟。我们发现，在空表面态能带 $\pi^*$ 底部附近的表面掺杂剂周围，表面 $LDOS$ 显著增加，由于其有限的空间延展性和在带隙内的能量位置，我们称之为分裂态。我们表明，尽管体相施主杂质能级位置已确立位于导带最底部，但 Ge(111)-(2x1) 表面上的表面施主杂质可能会产生低于费米能级的能级，这取决于杂质原子的局部环境。研究证实，位于次表面原子层的杂质在 Ge(111)-(2x1) 表面的 STM 实验中是可见的。STM 实验中观察到的杂质图像的准一维特征得到了我们计算机模拟的证实，并指出少数 $\pi$ 键合二聚体行可能受到杂质原子存在的影响。

关键词

隧穿谱磷杂质 Ge(111)-(2x1) 表面第一性原理研究局域态密度 STM 模拟分裂态

引用

@article{arxiv.1302.0603,
  title  = {Tunneling spectroscopy of phosphorus impurity atom on Ge(111)-(2x1) surface. {Ab initio} study},
  author = {S. V. Savinov and A. I. Oreshkin and S. I. Oreshkin},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1302.0603},
  year   = {2013}
}

备注

Submitted to Phys. Rev. B

Ge(111)-(2x1) 表面磷杂质原子的隧穿谱：{Ab initio} 研究

摘要

关键词

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