由于电子密度状态的重新分布引起的光学导电率变化

在弹性杂质散射模型中, 我们研究了电子密度状态(EDOS) $N(\epsilon)$ 关于费米能 $\epsilon_F$ 附近能量依赖性变化如何反映到频率依赖的光学导电率 $\sigma(\omega)$ 中。虽然保持 $N(\epsilon)$ 中总态数不变, 我们计算了作为 $\omega$ 函数的 $\sigma(\omega)$ 及相应光学散射率 $1/\tau_{\rm op}(\omega)$ 的诱导变化。这些量量反映了 EDOS 变化的某些方面, 但其关系并非直接。光学振荡强度的守恒被发现不成立, 光学散射率也不存在求和规则, 尽管准粒子散射存在求和规则。温度以及杂质散射的增加导致额外的光学性质变化, 这些变化在常数 EDOS 的情况下并不存在。这些效应起源于对 EDOS 在费米能 $\epsilon_F$ 附近进行的平均, 其能量尺度由杂质散射决定。