$\nu=1$ 双层量子霍尔态中的赝自旋孤子

我们研究了倾斜磁场中总朗道能级填充因子 $\nu =1$ 的双层量子霍尔态中的赝自旋畴结构，即孤子晶格，其中赝自旋代表层自由度。在公度相与非公度相之间的转变点处，磁电阻 $R_{xx}$ 出现一个反常峰。峰值处的 $R_{xx}$ 对于面内磁场 $B_\parallel$ 与电流之间的角度表现出高度各向异性，表明形成了平行于 $B_\parallel$ 排列的孤子晶格。$R_{xx}$ 峰的温度依赖性揭示了耗散是由赝自旋孤子的热涨落引起的。我们构建了双层 $\nu =1$ 系统作为 $B_\parallel$ 和总电子密度函数的相图。我们还研究了两层之间密度不平衡的影响。