双层量子霍尔铁磁体中的赝自旋倾斜转变：自充电电容器

对于足够强的面内磁场，$\nu_T=1$双层量子霍尔赝铁磁体预期会表现出孤子晶格。对于足够近的层间距和强面内场，我们预测这个非公度“平面”相$P_I$将经历一个重入赝自旋倾斜转变，进入非公度态$C_I$，该态具有有限的面外赝磁化分量，对应于孤子之间区域的层间电荷不平衡。在$T>0$时，该转变属于2D可压缩Ising普适类；在T=0时，该量子转变属于迄今尚未探索的普适类。显著的实验特征是普适的非线性电荷-电压与面内场关系，以及转变处微分双层电容的发散，这导致双层电容器即使在无外加层间电压时也会自发充电。