基于赝势的间接带隙半导体全布里渊区k·p技术：Si、Ge、金刚石和SiC
其他凝聚态物理
2007-05-23 v1
摘要
k·p是一种通用的技术，用于描述带隙附近的半导体能带结构。通过考虑更多耦合带，该技术可以扩展到整个布里渊区。为完整性起见，提供了详细的公式化，其中相关的k·p参数以带边能量和广义动量矩阵元的形式从局域经验赝势方法中提取。我们展示了通过适当选择带边态，该技术对于IV族间接带隙半导体：Si、Ge、金刚石和3C立方相SiC的系统性改进。对于Si，使用15带基于赝势的k·p方法，观察到全布里渊区一致性跨越超过20 eV的能量窗口，对于金刚石则为40 eV。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0610018,
title = {Pseudopotential-based full zone k.p technique for indirect bandgap semiconductors: Si, Ge, diamond and SiC},
author = {C. Bulutay},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0610018},
year = {2007}
}
备注
8 pages, 6 figures, requires fizik.cls (included)