F 掺杂 WS$_2$ 上硅烯/锗烯中邻近诱导的自旋-谷极化
介观与纳米尺度物理
2017-01-16 v1
摘要
硅烯和锗烯是谷电子学领域的关键材料。然而，与必需用于支撑电子活性介质的底板的相互作用成为主要障碍。本工作中，我们提出一种底板（F 掺杂 WS），其避免有害效应同时诱导所需的谷极化，从而无需为此目的进一步步骤。该行为由硅烯/锗烯上的邻近效应解释，如第一性原理计算所证明。由于 WS 存在导致的反演对称性破缺在硅烯/锗烯中打开可观的带隙。WS 的 F 掺杂导致自旋极化，其与邻近增强的自旋轨道耦合结合，产生可观的自旋-谷极化。
引用
@article{arxiv.1701.03667,
title = {Proximity induced spin-valley polarization in silicene/germanene on F-doped WS$_2$},
author = {Shahid Sattar and Nirpendra Singh and Udo Schwingenschlögl},
journal= {arXiv preprint arXiv:1701.03667},
year = {2017}
}